【CNMO科技动静】8月25日，据韩媒报导，于此前进行的“Hot Chips 2026”前沿计较架构年夜会上，三星与SK海力士别离宣布了下一代高带宽内存（HBM）的技能线路图。跟着人工智能算力对于数据吞吐与能效要求的连续爬升，两家存储巨头于下一代HBM的结构上揭示出差异化的冲破标的目的，别离聚焦在基底芯片（Base Die）架构改造与超高层进步前辈封装。

三星（左） SK海力士（右）

三星将重心放于了基础底模的功效拓展上。三星规划将原本由GPU负担的内存节制器等部门功效迁徙至HBM基底芯片，以此开释GPU芯单方面积用在扩充计较焦点，估计可实现10%至20%的机能晋升。同时，三星提出了可于基底芯片直接处置惩罚部门AI运算的“aHBM”方案，以年夜幅削减芯片间的数据搬运及功耗开消。于久远计划中，三星还有展示了GPU与DRAM垂直三维互联的“zHBM”构思，估计比拟HBM5可降低约70%的DRAM功耗，传输速度晋升2.3倍。

zHBM

SK海力士则缭绕超高层重叠与散热封装睁开技能攻坚。SK海力士于会上明确公布，适配英伟达下一代AI加快器“Vera Rubin”的12层重叠HBM4产物今朝已经处在量产阶段，16层重叠规格也已经正式进入客户验证环节。面向将来20层以上的超高重叠需求，SK海力士提出了混淆键合（Hybrid Bonding）工艺，该技能经由过程取缔传统凸块及填充质料，实现芯片直接毗连，从而缩小芯片间距。对于在发烧太高的问题，其还有宣布了内置专属导热通道的“iHBM”散热方案，可将热阻降低30%以上。

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